دیتاشیت BC 850BW H6327

BC 850BW H6327

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC 850BW H6327
حجم فایل 75.285 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

دانلود دیتاشیت BC 850BW H6327

BC 850BW H6327 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Infineon Technologies BC 850BW H6327
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 250mW
  • Transition Frequency (fT): 250MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 290@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 200mV@100mA,5mA
  • Package: SOT-323-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

دیتاشیت محصولات مشابه